Магниторезистивная память от Netsol под заказ от Теллур Электроникс

Магниторезистивная память от Netsol под заказ от Теллур Электроникс

В настоящее время производители систем контроля промышленной автоматики, медицинского оборудования, устройств управления электропитанием, коммуникационных систем, серверов, систем хранения данных широко применяют MRAM. Особенно это актуально при перебоях с электропитанием, а также в условиях перепадов температур.

Решения на основе MRAM позволяет заменить Flash, SRAM и даже EEPROM одновременно, что делает решения простыми и надежными, на 2 порядка снижается коэффициент программных ошибок. Последовательные MRAM работают на частоте 40 МГц, используется SPI интерфейс такой же как у FLASH и EEPROM, параллельные MRAM имеют асинхронный интерфейс по аналогии SRAM контроллеров.

Основные особенности:

• Тип корпуса BGA/DFN, низкий профиль, небольшие размеры;
• Неограниченное количество циклов записи;
• Возможность замены многих видов энергонезависимой памяти Flash/SRAM/ EEPROM/NVRAM/BBSRAM;
• Ёмкость до 16 Мбит на чип;
• Работа при входном напряжении от 3В;
• Структура ячейки (1T-1MTJ), транзистор + магнитный туннельный p/n переход;
• Высокоскоростные параллельный SRAM и последовательный SPI интерфейсы;
• Возможность считывания данных на высокой скорости без изменения состояния ячейки;
• Наименьший коэффициент программной ошибки;
• Соответствуют стандартам RoHS;
• Срок хранения данных не менее 20 лет

Начиная с апреля 2022г. доступны образцы MRAM от Netsol, разработчиков и производителей для получения образцов просим прислать заявку, в которой указать возможное использование MRAM на 22/23г.https://dzen.ru/a/Yjr2AcPL_hJj33Kc?share_to=link