Он получил название аморфный нитрид бора. В Samsung открыли новый материал, который будут применять в создании новейшей памяти. Его назвали аморфный нитрид бора. Сотрудники Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) совместно с коллегами из Кембриджского университета помогли исследователям из Samsung в открытие нового материала. Аморфный нитрид бора сильно приблизит создание полупроводниковых материалов нового поколения. Материал станут применять в создании новейших NAND, то есть флеш-памяти, и при производстве DRAM — оперативной памяти. Одним из главных достоинств аморфного нитрида бора ученые назвали возможность его использования как изолирующего материала, сводящего электрические помехи к минимуму. Ранее LIVE24 сообщало, что в Google Play нашли 25 приложений, ворующих учетные записи Facebook.
В Samsung открыли материал для создания карты памяти нового поколения
7 июля 20207 июл 2020
6
~1 мин