Найти в Дзене
Проект SFERA Live

Возможен ли износ и деградация вычислительного блока в процессорах

Оглавление

Развитие науки и техники насчитывает не одно тысячелетие. Этот процесс никогда не останавливался. Сменялись эпохи, совершенствовались орудия труда, появлялись науки, технические приспособления.

Но вместе с новыми технологиями появились новые проблемы, преследующие инновации на протяжении всего жизненного цикла. Над их решением инженеры бьются не одно столетие. Одна из таких — износ вследствие трения. Зачастую этим и обусловлено ограничение эксплуатации изделия. Полностью решить проблему трения пока не представляется возможным.

Подробнее рассмотрим блоки процессора во второй части статьи
Подробнее рассмотрим блоки процессора во второй части статьи

Возможен ли износ вычислительного блока процессора

Приходится использовать другие категории, когда речь заходит о полупроводниковой микроэлектронике. Как правило, изделия изнашиваются вследствие совершения механической работы. Но что же происходит в процессоре?

Полупроводниковый триод (транзистор)

Речь про транзисторы уже шла в статье "Почему машинный код нули и единицы", там же объяснялись их базовые принципы работы. Также было сказано, что транзистор выполняет роль своего рода выключателя. А далее хотелось бы подробнее остановится на принципах работы вычислительного блока процессора и непосредственно его основного элемента.

Наверняка у вас возникнет логичный вопрос: совершается ли в транзисторе механическая работа, для того чтобы замыкать или размыкать контакты? На самом деле не совсем так. Всё дело в свойствах полупроводников.

Полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. И могут проводить электрический ток при определённых условиях.

При обычных условиях полупроводник ведёт себя как диэлектрик, но под воздействием электрического поля. Электроны способны двигаться по полупроводнику (в данном случае — кристаллическому кремнию). Такая проводимость называется «дырочной» (не смейтесь!).

Слева — схема устройства полевого транзистора, справа — микрофотография среза полевого транзистора, полученная с помощью просвечивающего электронного микроскопа
Слева — схема устройства полевого транзистора, справа — микрофотография среза полевого транзистора, полученная с помощью просвечивающего электронного микроскопа

На схеме наглядно показаны основные элементы транзистора, в частности, исток и сток, соединённые каналом, и затвор, на который периодически подаётся напряжение. Затвором генерируется электрическое поле в нужном количестве, чтобы электроны получили возможность двигаться по полупроводнику. Таким вот нехитрым образом отпадает потребность в механическом движении для полноценного функционирования полевого транзистора.

Чтобы продолжить, нам понадобится ещё одно понятие из физики:
Электрический ток это направленное движение (под действием электрического поля) заряженных частиц (свободных электронов или ионов).

Давайте более подробно изучим процесс работы полевого транзистора и немного модернизируем принцип описанный в прошлой статье. Как выяснилось, при увеличении напряжения на затворе электрический ток (электроны) по полупроводнику (кремнию) двигаться уже не способен. «Дырочная» проводимость пропадает. Именно этот принцип используется в вычислительных ядрах процессора.

-3

При этом один полный цикл полупроводникового триода называется «такт». А количество тактов за секунду называется тактовой частотой. Она, если вспомнить физику, измеряется в Герцах (Гц) — количествах колебаний за единицу времени (секунду).

Тактовая частота современных процессоров колеблется в пределах 1 – 5.2ГГц. Чтобы вы понимали, если 1Гц = 1 такт за 1 секунду, то 1ГГц = 1 000 000 000 тактов за тот же период. Представьте, что было бы, окажись в транзисторе движущиеся элементы?

На этом можно было бы подвести итог. Но с уменьшением техпроцесса открылась другая проблема: деградация кремниевого кристалла — электромиграция. Дело в том, что при больших токах происходит диффузия ионов металла из истока в канал. Соответственно, канал становится уже, требуется увеличение напряжения на затворе, чтобы транзистор мог остановить поток электронов и не давал осечку (они связаны с ошибками в коде из за которых происходит перезагрузка ПО или даже всей операционной системы). Это приводит к усилению электромиграции, и через некоторое время опять приходится поднимать напряжение на процессоре. И так по кругу. В конечном итоге в силу увеличения теплопакета процессора и критических показателей напряжения (выше 1.5 Вольт) придётся снижать частоту для стабильной работы. Из-за этого срок службы современных процессоров без замены блока охлаждения и снижения производительности (по причине вынужденного снижения частоты) составляет от 4 до 7 лет (в зависимости от активности работы).

Диффузия — процесс самопроизвольного перемешивания веществ.

Проблема проявилась при переходе от 32 к 22 нм. Сильнее всего это заметно в процессорах для ПК. Там частоты выше по сравнению с более компактными устройствами. Подробнее об этом вы можете прочитать тут. Хоть эти 10, 7 и 5 нм имеют мнимое отношение к длине затвора, не сложно догадаться, что эффект электромиграции в них будет происходить быстрее. Это продиктовано тенденцией уменьшения техпроцесса. Остается лишь надеяться, что инженеры к тому времени что-нибудь придумают.

И небольшой бонус: взгляните на поперечный срез процессора Apple A7, выполненного по нормам техпроцесса 28 нм:

10 транзисторов имеют длину 1138 нм, то есть размер каждого транзистора — 114 нм.
10 транзисторов имеют длину 1138 нм, то есть размер каждого транзистора — 114 нм.

Да, всё именно так! Сейчас производители под техпроцессом подразумевают всё что угодно, только не длину затвора транзистора: к примеру, с учётом того, что они в процессорах расположены в 3D, берётся площадь кристалла кремния (то есть 2D) и делится на их количество. При этом размеры полевого транзистора получаются в разы меньше реальных. Когда вам говорят, что новый процессор выполнен по техпроцессу 7 нм и чуть ли не вдвое лучше 10 нм, стоит относиться к этому с пренебрежением.

P.S. Это не последний материал по данной теме. К сожалению, проблемы современных процессоров на этом не заканчиваются. В следующей статье, возможно, подведём итог.

Внимание! На данный момент у нас идут последние приготовления по проработке вопросов финансового участия в проекте SFERA. Узнать подробности можно по адресу invest@sfera.zone.

Также продолжается работа над приложениями. Уже в августе владельцы Android и IOS смогут установить SFERA на свои устройства.

Подписывайтесь на наши страницы в соцсетях:

Instagram: instagram.com/projectsfera

VK: vk.com/projectsfera

Facebook: facebook.com/projectsfera

Twitter: twitter.com/sferaproject

TikTok: tiktok.com/@project_sfera

OK: ok.ru/group/59219243368692

Обязательно для чтения:

Что такое "SFERA"

Зачем нужна экосистема SFERA и какие возможности она предлагает.