Периодически в моём канале появляются устройства торговой марки PNY technologies, компании, которая специализируется большей частью на видеоускорителях компании NVIDIA, являясь даже её партнером по профессиональным решениям серии Quadro на территории США, в Азии, России и СНГ. Остаётся загадкой, почему NVIDIA в качестве одного из трёх партнёров по профессиональной графике Quadro выбрала именно компанию PNY, у которой отсутствуют собственные заводы по производству видеокарт. Впрочем, заводы по изготовлению твердотельных накопителей у этой компании тоже отсутствуют, все твердотельные накопители этой фирмы закупаются у одного изготовителя и это вселенский спрут твердотельного бизнеса - компания Phison electronics, производитель контроллеров Phison и устройств на их основе для десятков торговых марок.
Герой сегодняшнего обзора - не исключение. Накопитель с наименованием в виде говорящей аббревиатуры Икс-Эль-Эр-Эйт (что созвучно accelerate, ускорять в английском языке) построен на основе контроллера Phison E12 и, вероятнее всего, самим Phison Electronics и изготовлен.
По сути, этот накопитель ничем не должен принципиально отличаться от рассмотренного недавно Silicon Power A80 256GB.
Воспользуюсь утилитой Вадима Очкина для определения аппаратной конфигурации накопителя.
И, в целом, они действительно почти одинаковы. Одинаковый контроллер Phison E12 (работающий на максимальной частоте 666МГц), но разный тип микросхем энергонезависимой памяти - если в Silicon Power применяется BiCS4, фактически, микросхемы 3D TLC производства компании Toshiba, выполненные по 96-слойной технологии, то в герое этого обзора - тоже микросхемы 3D TLC, но уже производства Intel, выполненые по 64-х слойной технологии. При этом оба устройства оборудованы одинаковым объёмом DRAM-кэша (512 Мегабайт) в виде микросхемы памяти DDR4-типа с частотой обмена данными 1600МГц.
Технически, различия в применяемых микросхемах памяти могут отразиться на производительности устройства, поэтому я приведу результаты обоих устройств на одном контроллере.
Но сначала - традиционно, CrystalDiskInfo.
Тут всё традиционно, даже неинтересно говорить. Датчик температуры рабочий, есть учёт считанных и записанных гигабайтов данных, число включений, часы работы, процент износа и так далее.
На основании тестов в CrystalDiskMark 6-й версии можно сделать вывод, что в целом оба устройства хороши, но PNY можно условно считать победителем в этом раунде - Silicon Power выиграл лишь в одно тесте на чтение в случайном порядке в один поток данных небольшого размера, а все остальные тесты остались по факту за PNY. Несмотря на небольшой разбег данных, уверенное преимущество обеспечивается микросхемами памяти Intel, имеющими меньшую плотность (количество слоёв).
Но вот в следующем тесте, CrystalDiskMark 7-й версии, ситуация разворачивается другим боком.
Настолько другим, что даже сложно вычислить общую тенденцию. Стоит было признать, что у накопителя из этого обзора запись удаётся лучше, чем у его конкурента, а чтение - удаётся лучше конкуренту, как в тесте на случайный доступ в один поток и на чтение и на запись герой этого обзора проиграет с треском своему визави от Silicon Power. Всё сложно, как пишут в статусе в социальных сетях, а счёт в сражении двух типов микросхем энергонезависимой памяти становится 1:1.
В следующем программном средстве, использующем несжимаемые наборы данных, герой этого обзора удерживает очевидную победу с преимуществом, определённым с помощью фотофиниша.
Да, благодаря достаточно мощному контроллеру и наличию DRAM-кэша оба устройства весьма хороши. Да и имитационные тесты, производимые этим программным средством тоже однозначно на стороне накопителя PNY.
Ну и конечно же, не обойтись без определения размера SLC-кэша и скорости записи как в рамках кэширования, так и за его пределами.
Поведение обоих устройств примерно одинаково (т.к. контроллер идентичен) - примерно 24 гигабайта составляет SLC-кэш, скорость записи в рамках которого находится в районе 1000-1200 МБ/с, за пределами которого скорость падает стремительным домкратом до 250 МБ/с (и вот тут Silicon Power убедительно доказывает своё преимущество - его скорость записи за пределами SLC-кэша составляет почти 360 МБ/с).
Трудно сделать однозначный вывод, какое из двух этих устройств можно назвать победителем. Безусловно, оба хороши: оба произведены самим изготовителем контроллера, оба запросто могут попасться с иной комплектацией (иными микросхемами памяти), поэтому оценка данного накопителя (как и его конкурента Silicon Power) - отлично. Весьма умеренная цена, достойная производительность, пятилетняя гарантия - нет никаких аргументов, чтобы пройти мимо, если вы ищете накопитель, работающий на шине PCI-e 3.0 x4, работающий по протоколу NVME.
И да. Накопитель (эксперимента ради) был установлен в компьютер с помощью переходника в шину PCI-e, слот x16 (который обычно используется для видеокарты).
Судя по минимальным отличиям в быстродействии от своего родственника от Silicon Power - никаких изменений в быстродействие устройст переходники не вносят, будь устройство подключено к материнской плате напрямую, в соответствующий разъём или через переходник в любой пригодный слот (x4 или x8 или x16) - оно будет работать одинаково быстро.