Найти тему
Михаил Ерохин

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Транзистор называется биполярным потому, что физические процессы в нем связаны с движением носителей зарядов обоих знаков (свободных дырок и электронов). Работа биполярных транзисторов основана на явлениях взаимодействия двух близко расположенных p-n переходов.

Идеализированная модель биполярного транзистора представляет собой трехслойную структуру n-p-n или p-n-p типа.

Средний слой биполярного транзистора называется базой «Б»;

один крайний слой коллектором «К»;

другой крайний слой эмиттером «Э».

На рисунке 1. представлены условные обозначения этих транзисторов:

Рисунок 1. условное обозначение транзисторов.
Рисунок 1. условное обозначение транзисторов.

Каждый слой имеет вывод, при помощи которого транзистор включается в цепь. На два из них поступает сигнал, а с двух снимается. В результате один из электродов будет общим как для входного, так и для выходного сигнала.

Существуют четыре режима работы биполярного транзистора. Данные режимы зависят от полярности напряжений между его выводами:

  • Активный режим;
  • Инверсный режим;
  • Режим насыщения;
  • Режим отсечки.

Применение данных режимов работы биполярного транзистора зависят от его использования, если применяют для усиления сигнала то это активный режим работы, а если в качестве ключа то это режим отсечки или насыщения.

В зависимости от того, какой из электродов общий, различают схемы включения с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ).