Транзистор называется биполярным потому, что физические процессы в нем связаны с движением носителей зарядов обоих знаков (свободных дырок и электронов). Работа биполярных транзисторов основана на явлениях взаимодействия двух близко расположенных p-n переходов.
Идеализированная модель биполярного транзистора представляет собой трехслойную структуру n-p-n или p-n-p типа.
Средний слой биполярного транзистора называется базой «Б»;
один крайний слой коллектором «К»;
другой крайний слой эмиттером «Э».
На рисунке 1. представлены условные обозначения этих транзисторов:
Каждый слой имеет вывод, при помощи которого транзистор включается в цепь. На два из них поступает сигнал, а с двух снимается. В результате один из электродов будет общим как для входного, так и для выходного сигнала.
Существуют четыре режима работы биполярного транзистора. Данные режимы зависят от полярности напряжений между его выводами:
- Активный режим;
- Инверсный режим;
- Режим насыщения;
- Режим отсечки.
Применение данных режимов работы биполярного транзистора зависят от его использования, если применяют для усиления сигнала то это активный режим работы, а если в качестве ключа то это режим отсечки или насыщения.
В зависимости от того, какой из электродов общий, различают схемы включения с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ).