Компания Everspin Technologies объявила о разработке семейства микросхем ST-MRAM для индустриальных и IoT применений. Ранее микросхемы ST-MRAM производились только в коммерческом диапазоне температур.
Новые семейства микросхем будут соответствовать следующим ключевым параметрам:
- энергонезависимость с сохранением данных > 10 лет
- неограниченное количество циклов чтения/записи
- плотность от 8 Мбит до 256 Мбит
- диапазон рабочих температур от -40 до 85°C
- производительность на уровне SRAM и низкая задержка
- стандартный последовательный интерфейс JEDEC (SPI, QSPI, OSPI, xSPI)
- совместимость с уже выпускаемыми Everspin Serial Toggle MRAM, а также с nvSRAM, FRAM и NOR Flash
На сегодняшний день Everspin выпускает Toggle MRAM плотностью от 128 Кбит до 32 Мбит в индустриальном диапазоне температур.
MRAM часто используется в качестве универсальной памяти, использующейся как для выполнения кода, так и для обеспечения постоянного хранения данных. С увеличением пропускной способности, функций, кода и требований к хранилищу данных, управляемых 5G, потребность в более высоких плотностях будет нарастать.
Новые микросхемы для индустриальных и IoT применений будут иметь плотность от 8 Мбит до 256 Мбит, дополняя и расширяя семейство Toggle MRAM от 128 Кбит до 4 Мбит.
Первые образцы ожидаются во второй половине 2020 года.
Компания Everspin разрабатывает и производит микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти MRAM с полевым переключением (Troggle MRAM) и на основе переноса спиновых состояний (ST-spin torque MRAM).
Макро Групп – является официальным дистрибьютором Everspin на территории России.
