BCR112, BCR141-E6327 – цифровые транзисторы Infineon с двумя резисторами

BCR112 и BCR141-E6327 – кремниевые биполярные n-p-n транзисторы от Infineon, оснащенные встроенными резисторами: последовательным входным резистором и резистором, включенным между базой и эмиттером. Такое решение позволяет управлять полупроводниковыми приборами напрямую от цифровых источников без дополнительных внешних схемотехнических элементов. Цифровые транзисторы используются в схемах коммутации, инверторах, схемах интерфейсов, схемах возбуждения и т.д.

Технические характеристики:

BCR112

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В;
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А;
• Прямое входное напряжение: 30 В;
• Обратное входное напряжение: 10 В;
• Минимальный статический коэффициент усиления: 20;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц;
• Встроенный резистор смещения (R1 = 4,7 кОм, R2 = 4,7 кОм);
• Максимальная рассеиваемая мощность: 0,2 Вт;
• Максимальная рабочая температура: +150 °C;
• Корпус: SOT-23;
• Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм;
• Масса: 0,05 г

BCR141-E6327

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В;
• Максимально допустимый ток: 0,1 А;
• Прямое входное напряжение: 60 В;
• Обратное входное напряжение: 10 В;
• Минимальный статический коэффициент усиления: 50;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц;
• Встроенный резистор смещения (R1 = 22 кОм, R2 = 22 кОм);
• Максимальная рассеиваемая мощность: 0,25 Вт;
• Максимальная рабочая температура: +150 °C;
• Корпус: SOT-23;
• Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм;
• Масса: 0,05 г

Немецкая компания Infineon Technologies AG – крупный производитель микросхем для телекоммуникаций и криптографии, выделившаяся из подразделения Siemens AG Semiconductor Group в 1999 году.