Ещё весной прошлого года Intel анонсировала новый тип модулей памяти на базе технологии 3D XPoint — Optane DCPMM. Технология заинтересовала всех, кому нужны большие объемы оперативной памяти, и кто готов при этом мириться с некоторой потерей производительности.
Японский национальный институт передовых технических наук и технологии (AIST) опубликовал результаты сравнительного тестирования DCPMM, в котором эти модули сравнивались с традиционной памятью DRAM.
В отличие от блочных накопителей Optane, существует не так уж много доступных результатов тестирования DCPMM, вот почему данные AIST представляют существенную ценность, о чём говорят и сами авторы проекта.
Для тестирования они использовали инструментарий собственной разработки и вот каких результатов им удалось достичь: при чтении латентность DCPMM составила порядка 374 наносекунд, в режиме случайной записи write-back она возросла до примерно 390 наносекунд.
Пропускная способность при этом составила 38 и 3 Гбайт/с, соответственно. Иными словами, задержки DCPMM примерно в четыре раза выше, нежели у DRAM, однако при этом такие модули способны обеспечить 37% пропускной способности обычной памяти. Это не так уж мало и, во всяком случае, на операциях чтения — намного быстрее любых традиционных блочных накопителей. Также подтвердилась польза от включения чередования (interleaving).
Любопытно, что для точного измерения задержек японским учёным пришлось пойти на ряд ухищрений, поскольку, по их словам, большинство современных архитектур используют предвыборку (prefetch) и внеочередное исполнение (out-of-order execution), что позволяет минимизировать негативные последствия, вызываемые задержками при обращении к оперативной памяти. Полностью ознакомиться с методикой и результатами тестирования можно по этой ссылке.