Технологии динамической памяти продолжают своё развитие. Несмотря на то, что появление DDR5 SDRAM ожидается лишь в 2020 году, некоторое время тому назад компания SK Hynix, занимающее место второго по величине производителя DRAM, приступила к разработкам следующего поколения перспективной памяти, DDR6 SDRAM. Как ожидается, такая память сможет обеспечить достижение скоростей до 12 Гбит/c на контакт. Но не стоит ждать быстрых перемен: как утверждают представители SK Hynix, разработка будет завершена в лучшем случае в течение ближайших 5–6 лет. Более того, пока у разработчиков даже нет единого мнения о том, какую архитектуру должна получить память следующего за DDR5 поколения. «Мы обсуждаем несколько концепций пост-DDR5. Одна из них заключается в поддержании нынешней тенденции увеличения скорости передачи данных, а другая — в объединении технологий DRAM с технологиями систем на чипе», — рассказал Ким Донг-Кюн (Kim Dong-kyun), научный сотрудник по разработке DRAM в SK Hynix. Напомним,
SK Hynix: DDR5 уже готова, переходим к разработке DDR6-памяти
23 февраля 202023 фев 2020
32
1 мин