Western Digital успешно завершила разработку технологического процесса пятого поколения для производства памяти 3D NAND. Технология получила название BiCS5. Благодаря использованию в ней трехуровневых (TLC) и четырехуровневых (QLC) ячеек обеспечивается высокая емкость, производительность и надежность, а также понижается цена изделия. Процесс ориентирован под решения для бытовой электроники, смартфонов, IoT-устройств и ЦОД.
Промышленное производство 512-гигабитных (Гбит) чипов и их отгрузка потребителям уже началась. Масштабное коммерческое производство по процессу BiCS5 начнется во второй половине 2020 года. Память BiCS5 TLC и BiCS5 QLC будет доступна с различной емкостью, включая 1,33 терабит (Тбит).
BiCS5 получила самую высокую плотность в линейке Western Digital. Горизонтальная плотность массива ячеек была увеличена за счет использования многоуровневой технологии «memory hole» второго поколения, внедрения усовершенствованного производственного процесса и проведения ряда улучшений самих ячеек памяти 3D NAND. «Горизонтальное масштабирование» и 112 слоев хранения в BiCS5 позволяют не только оптимизировать затраты, но и создать до 40% больше битов для хранения в расчете на полупроводниковую пластину по сравнению с 96-слойной технологией Western Digital BiCS4. Усовершенствование конструкции также увеличивает скорость работы, и за счет этого технология BiCS5 дает повышение производительности до 50% на задачах ввода/вывода по сравнению с BiCS4.
Процесс BiCS5 был разработан совместно с Kioxia Corporation – технологическим и производственным партнером. Изготовление продукции по новой технологии будет развернуто на производствах в Японии в городе Йоккаити, префектура Миэ, и в городе Китаками, префектура Иватэ.
Подписывайтесь на канал, чтобы ничего не пропустить.
Все новости на сайте it-world.ru