Найти в Дзене

Теоретическая часть пособия. Глава 5. Основы планарной технологии. 5.3. Технологическая схема кремниевой планарной технологии.

Данное пособие подойдёт для студентов первых курсов, обучающихся по направлению "Электроника" и смежных с ним специальностей, а также для начинающих радиолюбителей и схемотехников.

В пособии будет представлена необходимая базовая теория и практические задачи для её закрепления.

Ссылки на полное оглавление пособия, на предыдущую на следующую главы.

Приятного чтения!

Рис.5.3.1. Упрощенная блок-схема технологического процесса производства ИС в кремниевой планарной технологии.
Рис.5.3.1. Упрощенная блок-схема технологического процесса производства ИС в кремниевой планарной технологии.

Изготовление ИС по планарной технологии включает три основных этапа:

1. производство полупроводниковых монокристаллических пластин, называемых подложками, со строго контролируемой кристаллической структурой и кристаллографической ориентацией и максимально возможной степенью очистки от загрязнений;

2. обработка полупроводниковых пластин путем многократного повторения циклов оксидирования, травления, легирования, нанесения пленок и других операций для создания в приповерхностной области подложки ИС с требуемой топологией и структурой (включая межсоединения и контактные площадки);

3. сборка ИС и упаковка их в герметичный корпус.

Достоинство планарной технологии состоит в том, что после завершения каждой технологической операции восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины. Это позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций.