Современные флешки и SSD могут похвастаться хорошей скоростью чтения и записи, но сравнительно быстро вырабатывают свой ресурс. О разработке, способной на порядок увеличить «живучесть» накопителей, сообщила группа исследователей из Московского физико-технического института (МФТИ). По данным учёных, новый тип памяти способен обеспечить кратное превосходство в скорости доступа к данным и количестве циклов перезаписи сравнительно с существующими решениями.
Память актуальных SSD начинает деградировать после 103 — 105 циклов перезаписи. По словам физиков, созданные ими сегнетоэлектрические конденсаторы способны обеспечить 1010 циклов перезаписи — в сто тысяч раз больше, чем у современной флешки. Ячейка памяти нового типа представляет собой очень тонкий (около 10 нм) слой оксида гафния, к которому с двух сторон прикреплены управляющие электроды.
При определённых условиях этот материал можно превратить в кристаллическую структуру для хранения двоичной информации — аналог ячеек памяти. В качестве «катализатора» учёные использовали рентгеновское излучение, которое можно получить на специальных ускорителях-синхротронах.
«В основе методики лежит явление фотоэффекта. Измеряя энергию вылетающих из сегнетоэлектрика фотоэлектронов в сочетании с определёнными схемами облучения структур, нам удалось получить картину локального электрического потенциала по всей толщине слоя с нанометровым разрешением», — отмечает физик Юрий Матвеев.
Сейчас учёные продолжают лабораторное изучение перспективного типа памяти, ориентировочная дата появления готовых решений на основе сегнетоэлектрических конденсаторов пока не объявлена.