В основном, все полупроводниковые металлические фитинги требуются для всех электронных компонентов. Как и как ведут себя электрические соединения, зависит от концентрации поверхности полупроводника (Si), чистоты поверхности и взаимодействия между поверхностью раздела металл-полупроводник.
После того, как Джон Бардин изобрел транзистор, концепция и важность интегральных схем стали понятны.
Впоследствии большой успех сборки большого количества мелких компонентов и электронных компонентов на подложке привел к серьезному преобразованию в практическом производстве интегральных микросхем. С изобретением и развитием технологии миниатюрной человеческой электроники было достигнуто одно из самых важных достижений прошлого века.
Эволюция и рост:
С разработкой, проектированием и изготовлением интегральных микросхем, в частности увеличением накопления крупногабаритных компонентов в течение десятилетия, продолжалась работа по уменьшению размеров микроэлектроники. С другой стороны, новый спрос на интегральные схемы, особенно схемы памяти, включая динамическую память и статическую память с такими функциями, как высокая скорость работы, усугубляется снижением ежедневных потерь мощности.
В эволюционной технологии электромагнитных электронных компонентов, особенно в геометрии и субмикронном масштабе менее 2,5 микрометров, область проектирования наноэлектронных компонентов и технологии интегральных схем является особенно сложной.
Средний размер и размер электронных компонентов уменьшается вдвое каждые шесть лет.
В настоящее время благодаря преимуществам интеграции небольших компонентов нанотехнологические технологии, в частности, сделали структуру таких интегральных схем более обширной и сложной. Схемы состоят из десятков миллионов транзисторов, диодов, электрических резисторов и конденсаторов.
Ширина межсоединений между различными частями составляла 1,5 микрометра в год 6, который продолжает уменьшаться. С появлением этой технологии общий объем продаж интегральных схем во всем мире в этом году составил около 5 миллиардов долларов. Из-за сложности и специфики интегральных микросхем нанометрового размера, использования новых материалов и улучшенных производственных процессов, а также использования более сложных методов производства.
● Тонкослойная характеристика электронных компонентов:
Необходимо охарактеризовать тонкий слой разных компонентов. Некоторые из важных процессов создания интегральных микросхем:
• Проникновение ионных имплантатов
• Литография
• Металлический адрес
• и т. д.
В нанотехнологиях определенные параметры и системы должны использоваться для выполнения таких процессов. Например, в металлическом процессе использование металлического меди вместо обычного металлического алюминия для соединений между различными практическими деталями неизбежно.
Но быстрое проникновение атомов внизу при термообработке приводит к образованию медно-кремниевого слоя и в конечном итоге разрушает электронный фрагмент. Чтобы решить эту проблему, они обычно используют средний слой из латексоподобного материала или в качестве барьера для улучшения термостабильности слоя.
● Изготовление и характеристика многослойных систем:
Характеристика многослойных систем была изучена в последнее время. В связи с этим сообщается о влиянии отрицательного напряжения смещения на улучшение электрических и структурных свойств барьера проникновения распыляемого слоя в систему.
Также в технологии проектирования наноэлектронных компонентов с использованием атомно-силовой микроскопии () и изготовления тонких пленок, требуемых в упомянутых интегральных схемах, только в средах, определенных точными методами наслоения, такими как укладка молекулярного пучка () и укладка с Возможен химический пар металлического органического вещества.
Широта нанотехнологий:
В нанотехнологиях поверхностные процессы на подложке, включая горение, осуществляются с помощью плазменной и ионно-лучевой технологии. Такие интегральные схемы с их уникальными характеристиками в нанометровом масштабе имеют множество применений для мезоскопических систем. Некоторые из этих приложений включают в себя:
▪ Построить туннельные квантовые точки и системы в резонансных диодах.
Разработка и производство лазерных усилителей.
Разработка и производство микродатчиков и микрофонов для специальных применений.
В связи с важностью нанотехнологий в последние три года было проведено несколько практических семинаров в различных областях физики и нанотехнологий. Поскольку эта современная технология продолжает расти и расширяться, мы увидим огромные преобразования в будущем.
