Фотоэлектрические датчики серии BH представила корейская компания Autonics. В одном компактном корпусе выпускается три типа датчиков: с раздельными приемником и передатчиком для обнаружения на пересечении луча -"на просвет" и с приемником и передатчиком в одном корпусе для обнаружения по отражению от рефлектора или по диффузному отражению (от самого контролируемого объекта).
Серия предполагает два типа монтажа для фотоэлектрических датчиков BH: в отверстие гайкой М18 (монтаж на фронтальную поверхность) или двумя винтами М3 через сквозные боковые отверстия в корпусе (на боковую поверхность). Это является важным преимуществом серии ВН.
Дальность обнаружения «на просвет» 20 м для непрозрачного объекта диаметром более 20 мм, от рефлектора – 4 м для непрозрачного объекта диаметром более 75 мм, а для диффузного отражения: 1 м (волна 850 нм) или 300 мм (660 нм). Почти во всех случаях в фотоэлектрических датчиках источником света является красный светодиод с длиной волны 660 нм (при повышенной дальности обнаружения применяется инфракрасный светодиод 850 нм).
На задней стороне датчика находится потенциометр регулировки чувствительности и переключатель выбора режима работы (на свет/темноту). Вверху находится двойной индикаторный светодиод (красный = срабатывание по рабочему уровню, зеленый = устойчивое обнаружение). В фотоэлектрических датчиках обеспечена защита от неправильной полярности и защита выхода от перегрузки по току (короткого замыкания).
В данной серии фотоэлектрических датчиков для рефлекторного обнаружения объектов с собственной отражающей способностью применяется функция MSR (Mirror Surface Rejection, зеркальное отражение от поверхности), подавляющая собственное отражение контролируемого объекта за счет применения поляризованного света, а для обнаружения на просвет – подавление перекрестных помех.
Электропитание датчиков 12...24 В DC. Датчики сертифицированы по степени защиты IP67 (кроме монтажных отверстий), по вибрации и ударным воздействиям, диапазон рабочей температуры от -25 до 55 °С.