Новые твердотельные накопители позволяющей формировать до 96 слоев флэш-памяти 3D NAND. Оснащенные кэшем DRAM для повышения скорости доступа к хранимым данным, накопители промышленного класса проходят тщательное заводское тестирование и выдерживают до 3 тысяч циклов записи/стирания, что гарантирует выдающуюся надежность хранения критически важной информации. Устройства серии I проходят тестирование в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C, в ходе которого проверяется их пригодность для длительной непрерывной эксплуатации в экстремальных условиях. Модель MTE652T в форм-факторе M.2 2280 соответствует требованиям стандарта NVMe 1.3 и оснащена интерфейсом PCIe Gen3 x4, в котором для одновременной передачи и приема данных используются четыре линии. Это позволяет накопителю показывать невероятно высокую скорость передачи данных, достигающую 1700 МБ/с при чтении и 1600 МБ/с при записи. Также отличительными чертами этого типа микросхем являются низкий уровень потребления электр