Power Integrations анонсировала новые компоненты из InnoSwitch 3- семейств микросхем для импульсных обратноходовых источников питания, со стабилизацией постоянного тока/напряжения. Новые интегральные схемы обеспечивают КПД до 95% во всем диапазоне нагрузок, и позволяют создать сетевой адаптер в корпусе мощностью до 100 Вт, без использования радиатора. Это революционное увеличение производительности достигается с помощью разработанной внутри компании технологии высоковольтных вентилей из нитрида галлия (GaN).
Квазирезонансные микросхемы InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP и InnoSwitch3-Pro объединяют первичные, вторичные цепи и цепи обратной связи в одном корпусе для поверхностного монтажа. В недавно выпущенных членах семейства ключи из GaN заменяют традиционные кремниевые высоковольтные транзисторы на первичной стороне микросхемы, уменьшая потери на проводимости при протекании тока и значительно уменьшая коммутационные потери во время работы. Это приводит к значительно меньшим потерям энергии и, следовательно, к повышению эффективности и производительности в компактном корпусе InSOP-24D.
Предназначенные для высокоэффективных обратноходовых схем, таких как USB-PD и сильноточные зарядные устройства/адаптеры для мобильных устройств, телевизионных приставок, дисплеев, устройств, сетевых и игровых продуктов, новые интегральные схемы обеспечивают точное регулирование CV/CC/CP, независимо от внешних компонентов и легко взаимодействовать с микросхемами протоколов быстрой зарядки. Варианты InnoSwitch3-CP и ‑EP конфигурируются аппаратно, в то время как InnoSwitch3-Pro включает в себя сложный цифровой интерфейс для программного управления контрольными точками CV и CC, обработки исключений и функций безопасного режима.
GaN - это ключевая технология, предлагающая значительные преимущества в эффективности и размерах по сравнению с кремнием. Power integrations ожидает быстрого перехода от кремниевых транзисторов в GaN во многих приложениях питания. InnoSwitch3 является явным технологическим лидером на рынке микросхем для сетевых импульсных источников с тех пор, как компания выпустила кремниевые варианты 18 месяцев назад, а новые микросхемы на основе GaN еще больше расширяют ее возможности, повышая как эффективность, так и выходную мощность компонентов.
Подберите себе электронные компоненты у нас на сайте -www.atos.ru
