На рынке появляется все больше зарядных устройств, изготовленных с помощью новейшей технологии GaN. Название соответствует формуле нитрида галлия, которым предполагается заменить кремний в полупроводниковых транзисторах. Это позволяет создавать быстродействующие и устойчивые к высоким температурам схемы, способствует снижению потерь в преобразователях и повышению надёжности работы при нагревании. КПД таких устройств может быть повышен на 50%. Физические свойства нитрида галлия, например, подвижность электронов и критический уровень напряжённости поля – способствуют выработке силовых транзисторов с большим сроком эксплуатации и повышенной надёжностью. Кроме того, GaN транзисторы работают с высокой частотой импульсов, что позволяет упростить миниатюризацию схем. Известный американский производитель зарядных устройств Anker только что представила два ЗУ, действие которых базируется на технологии GaN. Во-первых, это PowerPort Atom III, предназначенное для зарядки iPad Pro, MacBook Pro и
Два новых GaN зарядных устройства от Anker
16 июля 201916 июл 2019
193
1 мин