На графическом изображении полевого MOSFET транзистора,изображен диод,подключенный к выводам сток-исток транзистора.Катодом к плюсу питания,анод к минусу.Это-паразитный диод.Его ошибочно могут принимать как за полезную функцию,защита транзистора или еще что-то,но этот диод нежелателен.
При изготовлении полевых транзисторов,не удается избавиться от паразитных элементов,один из них- биполярный транзистор.База биполярного транзистора подключена к основанию p-n перехода мосфета-подложка.Между подложкой и истоком имеется сопротивление,между подложкой и стоком-конденсатор.
Этот конденсатор,во время быстрого спада и увеличения напряжения,открывает транзистор и в тот момент,когда считается закрытым полевой транзистор,биполярный открывается и может привести к сквозным токам и порче транзистора.При изготовлении полевых транзисторов исключают биполярный паразитный транзистор,но появляется паразитный диод.Но и этот диод имеет свои недостатки,это высокое падение напряжение на нем и посредственными временными характеристиками.Этот диод может оказаться слишком медленным и привести к нагреву полевого транзистора.
Характеристики этого диода(Body Diode) указаны в даташите на полевой транзистор-Source-Drain Ratings and Characterictics-характеристики диода,находящегося между истоком-стоком.Приведены хар-ки на диод в транзисторе IRF3205:
-Is continuous source current-110А...максимальный непрерывный длительный ток диода
-Ism pulsed-390А...максимальный импульсный ток
-Vsd diode forward voltage-1.3v...прямое падение напряжения на диоде
-trr revers recovery time-64-109nS...время обратного восстановления диода
-Qrr reverse recovery charge-143-215nC...заряд восстановления диода
-t on forward turn-on time...время открытия диода,обусловленное индуктивностями стока и истока
Время обратного восстановления диода-trr,чем меньше это время,тем лучше для быстродействия.При переключении диода,в p-n переходе накапливаются неосновные носители заряда и если их вовремя не убрать,по ним пойдет ток,который приведет к нагреву транзистора и ухудшению характеристик.
Графически пд показан как диод Зеннера-стабилитрон.Можно встретить и как диод или как диод Шоттки.Но диод Шоттки не имеет таких характеристик,как trr и падение напряжения на нем 0.2-0.4В.Хотя есть описания так называемых FETKY транзисторов,со встроенным диодом Шоттки.