GaN-on-SiC HEMT превосходит по эффективности большинство существующих магнетронов.
Представители NXP заявили, что продемонстрируют на Международном микроволновом симпозиуме в Бостоне, США транзистор, который «увеличивает эффективность большинства магнетронов работающих на частоте 2,45 ГГц».
«Уже более 50 лет магнетроны 2,45 ГГц широко используются в бытовых и промышленных сферах – от микроволновых печей до сварочных аппаратов большой мощности», – заявили в компании. «Твердотельные решения появились на рынке несколько лет назад, однако до появления GaN-on-SiC твердотельным устройствам не хватало эффективности, чтобы соответствовать стандартам производительности действующих магнетронов».
И тут появляется MRF24G300HS, транзистор GaN-on-SiC 50 В 330 Вт (с непрерывной волной – CW), который, как утверждается, имеет 73% КПД при 2,45 ГГц, «что на пять пунктов выше, чем у новейших технологий LDMOS».
Карбид кремния имеет хорошую теплопроводность, способствует отводу тепла из слоев транзисторов из нитрида галлия, улучшает управление мощностью и открывает двери для использования в компактных корпусах. Варианты комплектации: NI-780S или, без удерживающих вкладок, NI-780H-4L.
Кроме того, согласно сообщению NXP, технология GaN обладает высоким выходным импедансом, который «обеспечивает широкополосное согласование по сравнению с LDMOS, а упрощенное смещение затвора MRF24G300HS устраняет еще один шаг в остальной сложной последовательности включения питания, обычно наблюдаемой на устройствах GaN».
По сравнению с магнетронами, полупроводниковые источники облегчают контроль радиочастотной мощности, частоты и фазы, что позволяет динамически контролировать радиочастотные поля, особенно когда в охлаждении пищевых продуктов и промышленном нагреве используются несколько радиочастотных источников, которые предусмотрены для устройства.
MRF24G300HS сейчас проводит финальные тесты, а производство запланировано на 3 квартал 2019 года.
Международный микроволновый симпозиум состоится на этой неделе, и на выставке будет представлен усилитель мощности на 550 Вт с усилением 2×45 дБ, разработанный Prescient Wireless в рамках партнерской программы NXP.