Новые полевые МОП-транзисторы в корпусе SuperSO8 расширяют линейку продуктов Infineon. OptiMOS 3 и 5 обеспечивают высокую плотность мощности и низкое сопротивление открытого канала, что позволяет уменьшить потери и получить оптимальное соотношении цена/качество.
Низкий заряд восстановления диода (Qrr) повышает надежность системы, обеспечивая значительное снижение перерегулирования по напряжению в ключевых режимах работы, что упрощает использование демпфирующих цепей.
Повышенная допустимая температура кристалла 175 °C позволяет использовать конструкции с большей мощностью и с более высокой рабочей температурой перехода. Кроме того, с повышением номинальной температуры достигается 20-процентное расширение безопасной рабочей зоны (SOA).
Использование корпусов SuperSO8 (PQFN 5x6) вместо TO-220 обеспечивает повышенную удельную мощность и сниженный всплеск напряжения на стоке транзистора из-за уменьшенной индуктивности корпуса. Новые полевые МОП-транзисторы в корпусе SuperSO8 могут быть использованы в DC-DC преобразователях, синхронных выпрямителях, инверторах, усилителях класса D.
Основные особенности:
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) увеличивает плотность мощности и КПД;
- Высокая рабочая температура кристалла: до 175 °C;
- Низкое тепловое сопротивление RthJC;
- Малый заряд восстановления диода (Qrr)
Наименования для заказа:
BSC012N06NSATMA1
BSC021N08NS5ATMA1
BSC027N10NS5ATMA1
BSC220N20NSFDATMA1
BSC430N25NSFDATMA1
Производители: Infineon
Разделы: Полевые транзисторы