В одной из публикаций мы уже знакомились с полевым (униполярным ) транзистором. Как вы помните, вся идея сводится к тому, что вы управляете полем (потому он и называется полевым). Если в биполярном транзисторе основное условие открытия транзистора - это наличие тока через базу(а это расход энергии), то в полевом транзисторе ключевое условие открытия транзистора - это наличие электрического поля заданной полярности. Но при этом управляющий ток через изолированный слой минимален и составляет наноамперы. Рассмотрим работу полевого транзистора с изолированным затвором. Смотрим на конструктивное исполнение диода. В основе лежит подложка P-типа, далее стоят два элемента транзистора - исток и сток. У них пометка n+ это значит повышенное содержание свободных носителей - электронов, и между ними есть канала n- типа. В нем пониженное содержание электронов (низкая концентрация). Что происходит при отсутствии поля на затворе. Средняя картинка - ВАХ диода зависимости тока в канале от напряжения