Найти тему
ДКО Электронщик

Магниточувствительные датчики угла на эффекте туннельного магнитосопротивления (TMR)

Микросхемы TLE5501E0001 компании Infineon – это магниточувствительные датчики на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR). По сравнению с другими магниторезистивными сенсорами, такими как AMR и GMR, технология TMR позволяет получить в несколько раз большую чувствительность, а также лучшую точность и стабильность при меньшем температурном дрейфе.

Датчики TMR имеют высокий уровень выходного сигнала, что позволяет отказаться от дополнительного внутреннего усилителя и подключать их непосредственно к микроконтроллеру (рис. 1). Это дает возможность упростить схему и удешевить конечное изделие.

Магниточувствительные датчики TLE5501E0001 могут применяться в автоматизации, робототехнике, электродвигателях, разнообразных автомобильных приложениях.

Особенности TLE5501E0001:

  • Магниточувствительные датчики на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR);
  • Угол измерения: 360 °;
  • Высокий уровень выходного сигнала для прямого подключения микроконтроллера: до 0.37 В/В;
  • Дискретный мост с дифференциальными выходами SIN и COS;
  • Логометрические (ratiometric) выходные сигналы;
  • Напряжение питания: 2.7…5.5 В;
  • Рабочий ток: 2.5 мА;
  • Выходное напряжение: 1.2…1.5 В;
  • Диапазон магнитного поля: 20…100 мТл;
  • Угловая погрешность: 1.0 ° тyp;
  • Защита от статики (ESD): более 4 кВ (HBM);
  • Рабочая температура: -40…+150 °C;
  • Корпус: DSO-8;
  • Автомобильная квалификация: AEC-Q100

Рис. 1. Структурная схема датчика TLE5501E0001
Рис. 1. Структурная схема датчика TLE5501E0001

Производители: Infineon

Разделы: Датчики магниточувствительные