Микросхемы TLE5501E0001 компании Infineon – это магниточувствительные датчики на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR). По сравнению с другими магниторезистивными сенсорами, такими как AMR и GMR, технология TMR позволяет получить в несколько раз большую чувствительность, а также лучшую точность и стабильность при меньшем температурном дрейфе.
Датчики TMR имеют высокий уровень выходного сигнала, что позволяет отказаться от дополнительного внутреннего усилителя и подключать их непосредственно к микроконтроллеру (рис. 1). Это дает возможность упростить схему и удешевить конечное изделие.
Магниточувствительные датчики TLE5501E0001 могут применяться в автоматизации, робототехнике, электродвигателях, разнообразных автомобильных приложениях.
Особенности TLE5501E0001:
- Магниточувствительные датчики на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR);
- Угол измерения: 360 °;
- Высокий уровень выходного сигнала для прямого подключения микроконтроллера: до 0.37 В/В;
- Дискретный мост с дифференциальными выходами SIN и COS;
- Логометрические (ratiometric) выходные сигналы;
- Напряжение питания: 2.7…5.5 В;
- Рабочий ток: 2.5 мА;
- Выходное напряжение: 1.2…1.5 В;
- Диапазон магнитного поля: 20…100 мТл;
- Угловая погрешность: 1.0 ° тyp;
- Защита от статики (ESD): более 4 кВ (HBM);
- Рабочая температура: -40…+150 °C;
- Корпус: DSO-8;
- Автомобильная квалификация: AEC-Q100
Производители: Infineon
Разделы: Датчики магниточувствительные
