IGT60R070D1 – это транзисторы семейства CoolGaN от Infineon с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия. Новая технология CoolGaN обеспечивает высокую эффективность, максимальную надежность и необходимую плотность мощности конечного продукта.
Транзисторы IGT60R070D1 являются нормально закрытыми и работают аналогично обычным кремниевым MOSFET при применении драйверов, учитывающих специфику управления затворами GaN HEMT.
Серия CoolGaN обеспечивает КПД системы до 98 % и имеют высокий показатель качества FOM (Rds(on) x Qg), что дает конкурентные преимущества разрабатываемым устройствам.
Транзисторы можно использовать в топологиях с жесткой и мягкой коммутацией, например для корректоров коэффициента мощности с функциями выпрямителя, в высокоскоростных резонансных преобразователях (рис. 1).
Особенности IGT60R070D1:
- Нормально закрытые GaN-транзисторы с улучшенной структурой работающие в режиме обогащения;
- Ультрабыстрое переключение;
- Нет заряда обратного восстановления;
- Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд;
- Высокая надежность коммутации;
- Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации;
- Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN;
- Простота использования с доступным ассортиментом драйверов;
- Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22).
Технические характеристики IGT60R070D1:
- Напряжение исток-сток VDS, max: 600 В;
- Максимальный ток стока ID: 31 А (25 °С);
- Максимальный импульсный ток стока ID,pulse: 60 А;
- Сопротивление открытого транзистора, макс RDS(on), max: 70 мОм;
- Полный заряд затвора, QG, typ: 5,8 нКл;
- Выходной заряд Qoss: 41 нКл (400 В);
- Заряд восстановления диода Qrr: 0
Рисунок 1. Пример применения CoolGaN-транзисторов
Производители: Infineon
Разделы: Полевые транзисторы