Компания Alliance Memory предлагает микросхемы памяти DDR3L SDRAM емкостью 2 Гб с высокой скоростью передачи данных 1600 Мб/с и тактовой частотой 800 МГц – AS4C128M16D3LB. Они производятся в стандартном 96-выводном корпусе FBGA с расположением выводов аналогичным ряду микросхем памяти, что позволяет повысить производительность в существующих разработках. Снижение напряжения питания до 1,35 В позволило уменьшить энергопотребление. Микросхемы доступны в двух вариантах температурного исполнения – коммерческом от 0 до +95 °C и промышленном от -40 до +95 °C.
Логическая организация AS4C128M16D3LB представляет собой 8 логических банков с глубиной 16M и шириной 16 бит (рис. 1).
Эти микросхемы оперативной памяти позволят улучшить параметры существующих изделий, дополнят решения с новейшими микропроцессорами для промышленности, медицины, связи и потребительской электроники.
Особенности AS4C128M16D3LB:
- 2 Гбит DDR3 SDRAM: 8 банков 16Mx16;
- Корпус: FBGA-96;
- Чрезвычайно высокая скорость передачи данных 1600 Мб/с и тактовая частота 800 МГц;
- Напряжение питания: 1.35 В;
- Маскирование записываемых данных;
- Диапазон температур: 0…+95 °С; -40…+95 °С;
- Поддержка последовательных и чередующихся пакетов с длинами 4 или 8 бит;
- Функция предзаряда обеспечивает автоматическую предварительную загрузку строки в начале последовательности пакетов;
- Функции авто- или саморегенерации
Рисунок 1. Структурная схема AS4C128M16D3LB
Производители: Alliance, ALLIANCE
Разделы: Энергонезависимая память
