Демонстрационная плата EVALSTGAP2SCM от компании ST Microelectronics предназначена для оценки работы изолированных драйверов затвора STGAP2SCM в высоковольтной полумостовой схеме на мощных ключевых транзисторах (MOSFET, IGBT, или SiC). Драйверы имеют гальваническую изоляцию до 1700 В и обеспечивают выходной ток до 4 А. Выходы нижнего и верхнего плеча объединены и имеют один вывод. Кроме того в драйвере имеется схема для активного подавления эффекта Миллера с выходом CLAMP (рис.1).
Питание драйверов производится с помощью специализированных изолированных DC-DC преобразователей с двухполярными несимметричными выходами. С помощью перемычек можно выбрать одну из четырех комбинаций напряжений (включая отрицательное управление затвором) наиболее подходящую к используемым силовым транзисторам,.
Для повышения надежности системы в устройстве предусмотрено защитное отключение при перегреве и падении напряжения ниже допустимого порога. Два входа позволяют выбирать полярность управляющего сигнала, а также осуществлять блокировку сигнала в случае неисправности контроллера.
EVALSTGAP2S позволяет оценить все функции STGAP2SCM при управлении силовым полумостовым каскадом на транзисторах с напряжением до 1700 В в корпусах TO-220 или TO-247.
Демонстрационная плата помогает быстро подобрать внешние компоненты для драйвера.
Особенности:
- Высоковольтная шина питания: до 1700 В;
- Выходной ток драйвера: 4 А при 25 °C;
- Транзистор для устранения эффекта Миллера: 40 А;
- Малая задержка распространения: 100 нс;
- Функция защиты от просадки напряжения (UVLO);
- Напряжение драйвера: до 26 В;
- Управление отрицательным напряжением;
- Встроенные изолированные DC-DC преобразователи для питания драйверов затвора, питаемые 5 В (VAUX);
- Питание логической части VDD локальным напряжением 3.3 В или VAUX
- 3.3 В и 5 В TTL/CMOS входы с гистерезисом;
- Простота выбора конфигурации управляющего напряжения:+15/0 В; +15/-3 В; +19/0 В; +19/-3 В;
- Выключение при перегреве
Производители: ST Microelectronics
Разделы: Демонстрационные платы, Драйверы IGBT и MOSFET
