Компания Alliance Memory объявила о расширении портфеля двумя новыми устройствами с более высокой плотностью памяти 8 ГБ – AS4C1G8D4 и AS4C512M16D4. Обеспечивая улучшенную производительность по сравнению с модулями DDR3 SDRAM предыдущего поколения, AS4C1G8D4 и AS4C512M16D4 предлагают более низкое энергопотребление и более высокую скорость передачи данных в корпусах FBGA с 78 и 96 шарами соответственно.
Основные характеристики и преимущества AS4C1G8D4 и AS4C512M16D4:
- низкое энергопотребление: +1,2 В (± 0,06 В)
- предлагается в корпусах: FBGA с 78 и 96 шарами
- высокая тактовая частота: до 1333 МГц
- внутренне сконфигурирован: 1 ГБ × 8 бит (AS4C1G8D4) и 512 МБ × 16 бит (AS4C512M16D4) до 16 банков памяти
- высокая скорость передачи данных: до 2666 Мбит/с
- функция автоматической предварительной зарядки обеспечивает самосинхронную предварительную зарядку ряда, инициируемую в конце последовательности пакетов
- отсутствуют свинец (PB) и галогены
- соответствие директиве RoHS
- диапазоны температур: коммерческий ( от 0°C до + 95°C) и индустриальный (от -40 °C до +95°C)
Заказной номер
Плотность
Организация
Корпус
Вольтаж
Частота
1 Гбит
128 М × 8
8-LGA
3 В
120 МГц
2 Гбит
256 M × 8
8-LGA
1,8 В
100 МГц
2 Гбит
256 M × 8
8-LGA
3 В
120 МГц
4 Гбит
512 M × 8
8-LGA
1,8 В
100 МГц
Области применения:
- портативная электроника
- 5G устройства
- искусственный интеллект (ИИ)
- настольные компьютеры и серверы для промышленных, сетевых, IoT, автомобильных, игровых и потребительских применений.
По сравнению с микросхемами памяти DDR3 SDRAM новые 8 ГБ DDR4 SDRAM от Alliance Memory снижают рабочее напряжение с 1,65 В до + 1,2 В (± 0,06 В), чтобы увеличить время автономной работы портативной электроники, например, смартфонов и планшетов. Для повышения эффективности и производительности в проектах 5G, настольных компьютерах и серверах модули AS4C1G8D4 объёмом 1 ГБ × 8 бит и AS4C512M16D4 объёмом 1 ГБ × 16 бит предлагают до 16 банков памяти и обеспечивают более высокие тактовые частоты 1333 МГц для высокой скорости передачи до 2666 Мбит/с . Благодаря минимальной усадке матрицы модули памяти DDR4 SDRAM обеспечивают надёжную замену множества аналогичных решений с возможностью вставки и совместимости контактов, устраняя необходимость в дорогостоящих модификациях и переквалификации компонентов.
Микросхемы AS4C1G8D4 и AS4C512M16D4 находятся серийном производстве и также доступны в виде образцов.
Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором Alliance Memory в России.