Компания SK Hynix объявила о завершении разработки «самой многослойной в отрасли» 176-слойной флеш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 512 Гбит. В ноябре образцы памяти были отправлены производителям контроллеров.
Производитель продвигает память, которую он называет 4D NAND, начиная с 96-слойной памяти с ловушкой заряда (Charge Trap Flash или CTF). Особенностью 4D NAND является интеграция под слоями с ячейками памяти слоя с периферийными цепями. По подсчетам SK Hynix, переход к выпуску 176-слойной памяти позволил получать на 35% больше памяти из одной пластины по сравнению с флеш-памятью 4D NAND предыдущего поколения. Время доступа при чтении удалось сократить на 20%, применив новую технологию выбора массива ячеек, а скорость передачи данных — увеличить на 33%, до 1,6 Гбит/с.
К поставкам новой памяти SK Hynix планирует приступить в середине следующего года, начав с памяти для мобильных устройств, в случае которой прирост скорости чтения достигает 70%, а скорости записи — 35%. Позже начнутся поставки микросхем для потребительских и корпоративных SSD