Всем здравствуйте. Генераторы на двух транзисторах с эмиттерной связью много раз описывались в литературе. Контур обычно располагается в коллекторе одного из транзисторов. Таким образом, требование заземления отрицательного полюса питания и подключения одного вывода катушки и настраивающего конденсатора к земле приводит к использованию транзисторов p-n-p.
На рисунке показан менее распространенный вариант генератора высокой частоты, который позволяет использовать транзисторы n-p-n.
Основой генератора является пара транзисторов n-p-n с эмиттерной связью. Транзисторы высокочастотные типа BF255. Низкочастотные транзисторы были бы менее подходящими, особенно из-за большей пропускной способности соединения. База T1 соединена с катодом маломощного стабилитрона D, который может быть заменен резистором с сопротивлением около 1 кОм при стабилизированном напряжении питания.
Изменяя сопротивление резистора эмиттера R3, можно регулировать амплитуду напряжения, генерируемого генератором. Во время настройки рекомендуется заменить R3 потенциометром с сопротивлением, например, 100 кОм, и постепенно уменьшать сопротивление, пока не возникнет стабильная генерация. Генератор настраивается конденсатором C, или вместо этого конденсатора мы можем использовать подходящий варикап.
Генератор рассчитан на питание от несбалансированного источника питания. Поэтому подключение несколько сложнее, чем при использовании сбалансированного источника питания. Но даже в этом случае генератор получается достаточно простым и с данными компонентами он надежно работает на частотах от сотен кГц до единиц МГц. Тем не менее, простота генератора с катушкой без обмотки связи или отвода все же характеризуется меньшей стабильностью.
При значениях компонентов L = 115 мкГн, C = 180 пФ и R3 = 47к генератор генерирует на частоте около 1 МГц, в то время как настроенная схема имеет промежуточное пиковое напряжение около 1В. Выходной сигнал берется с контура через конденсатор с небольшой емкостью или можно применить истоковый повторитель на полевом транзисторе, так что тут нет необходимости использовать катушку связи или отвод.
Схема может быть легко адаптирована под амплитудную модуляцию. Глубина модуляции не должна быть слишком большой, потому что тогда сигнал будет искаженным. Источник сигнала модуляции подключаем между массой и резистором R3. Этот резистор может быть заменен транзисторным источником тока, управляемым напряжением модуляции.
