Гибридный IGBT - это сочетание в одном корпусе обычного кремниевого IGBT и SiC-диода. Такое сочетание позволяет увеличить эффективность полумостовых схем, работающих в режиме неразрывных токов, там, где особое значение имеет энергия восстановления диода.
Onsemi расширяет линейку гибридных IGBT-транзисторов со встроенным SiC-диодом.
Теперь в ней два партномера на 50 и 75А, 650В.
Скачать даташиты можно по ссылке, а задать вопросы по почте dmitry.antonov@ebv.com
AFGHL50T65SQDC https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AFGHL50T65SQDC-D.PDF
AFGHL75T65SQDC https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AFGHL75T65SQDC-D.PDF
Эти транзисторы имеют квалификацию AEC-Q100 и применяются в автомобильных бортовых зарядных устройствах, в полумостовых и многоуровневых схемах, где особое влияние имеет энергия восстановления встроенного диода.
Кроме БЗУ, транзисторы применимы для ИБП, безмостовых выпрямителей-корректоров, тяговых преобразователей и т.д.
Дмитрий Антонов, специалист по силовой электронике EBV Elektronik
выделил 3 основных применения этих транзисторов для России:
1) Мощные зарядные устройства
2) AC/DC преобразователи
3) Инверторы и ИБП
