Сегодня у нас обзор по GaN-транзисторам от компании Nexperia. Дмитрий Антонов подготовил отличительные особенности транзистора и где он может применяться.
Транзисторы имеют следующие особенности:
- Это нормально закрытый транзистор, выполненный по каскодной схеме: низковольтный 30В NMOS + GaN d-HEMT
- Очень легкий затвор, управляется как обычный NMOS: Vgs ±20V, затвор 0-10V, порог открытия Vth > 4V
- Характеристики корпусного диода (Qrr, Trr, Vf) как у низковольтного NMOS
- Малые динамические потери в полумостовых схемах с жесткой коммутацией
- Линейка активно развивается, на текущий момент выпущены 650В транзисторы в TO247 и SMD корпусах сопротивлением от 33 до 63 мОм. В перспективе номиналы 20 мОм и ниже, а также транзисторы на 900В
Каскодная структура для простого управления транзистором:
Динамика в сравнении с кремниевым superjunction 650V N-MOSFET:
По сравнению с e-Mode GAN, транзисторы Nexperia управляются подобно обычному N-полевику и доступны в корпусе TO-247. При этом достигается значительное снижение динамических потерь.
Благодаря новым транзисторам становятся возможными новые топологии преобразователей, например, безмостовой totem-pole корректор к-та мощности с КПД > 99%:
В резонансных топологиях и схемах с мягкой коммутацией GaN-транзисторы позволяют:
· Поднять рабочую частоту
· Уменьшить мертвое время и размах индукции в сердечнике
· Менять режим работы мостового преобразователя в зависимости от нагрузки (например, LLC <-> PSFB)
· Уменьшить мощность драйверов
Доступен референс-дизайн безмостового выпрямителя-корректора NXTTP4000W066 мощностью 4 кВт, демонстрирующий пиковый КПД 99,1%.
Запрос документации и образцов можно оставить в форме ниже:
На нашем канале по теме Транзисторы:
1. Преимущества GaN транзисторов
2. Транзистор со встроенным диодом SiC для источников питания
Подписывайтесь на канал по ссылке
Новый чат по силовой электронике по ссылке