Samsung представила 10-нм LPDDR5-чипы ОЗУ объёмом 8 ГБ
Samsung объявила о выходе первых 10-нм модулей ОЗУ стандарта LPDDR5, ориентированных на флагманские смартфоны с поддержкой мобильных 5G-сетей и ИИ для обеспечения наилучшей скорости и энергопотребления.
У чипа LPDDR5 максимальная скорость передачи данных составляет 6400 Мбит/с у предыдущего чипа LPDDR4X максимальная скорость передачи составляет 4266 Мбит/с в современных флагманских смартфонов. Можно заметить прирост 1,5 раза. Это позволяет передавать в секунду информацию объемом 51,2 ГБ. Новая память имеет 2 режима скорости в которой отличается входное напряжение на чип:
6400 Мбит/с - 1,10 В (Рабочий)
5500 Мбит/с - 1,05 В (Экономный)
Память может сама управлять энергопотреблением в зависимости от ее загрузки – LPDDR5 в режиме глубокого сна («deep sleep mode») снижает энергопотребление в 2 раза относительно режима ожидания («idle mode») современной LPDDR4X. Это позволило на 30% снизить энергопотребление LPDDR5 в сравнении с LPDDR4X.
Модули памяти LPDDR5 из 8 чипов общей емкостью 8 ГБ уже прошли этап тестирования, а начало массового производства на заводе Пхёнтхэке, что в Южной Корее, запланировано сразу после поступления первых заказов. Таким образом, новый стандарт памяти можно ожидать в грядущих флагманских смартфонах Samsung, Apple и других топовых производителей.