Всем известна особенность полупроводниковых приборов сильно нагреваться. Происходит это в процессе работы, когда выделяется много тепла, считающегося проблемой, которая сказывается на производительности микросхем. Исследователи из университета штата Иллинойс Урбана-Шампейне и специалисты Техасского университета Далласа, нашли способ совершенно нового и качественного отвода тепла.
В ходе проведения исследований, доказаны факты, подтверждающие возможности материалов обладать повышенной теплопроводностью, которые ранее предполагались только в теории.
Не секрет, что кристаллами кремния плохо и неэффективно рассеивается тепло. Отличаются намного лучшей проводимостью алмазы, причем в 15 раз. Только использовать их затруднительно, по причине дороговизны как природных алмазов, а искусственные наделены структурными дефектами, влияющими на уровень теплопроводности.
В эксперименте использованы кристаллы, соответствующие материалу - арсенид бора, не встречающегося в природе. Применив вакуумное осаждение, специалистами совершена попытка формирования структуры с низкой плотностью содержания дефектов и сохранением высокого уровня теплопроводности. При этом эксперименты проведены на разных материалах и параметрах процессов. В результате исследователи нашли свойства материала, в три раза превышающего теплопроводность действующих кристаллических структур, используемых в современных теплораспределителях.
Следующий этап заключается в моделировании необходимых техпроцессов, подходящих для начала внедрения и последующего применения новой разработки.
