Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство самой передовой на сегодня многослойной памяти типа 3D NAND (V-NAND пятого поколения). Новинки не поражают большим объёмом — всего 256 Гбит в наборе из трёхбитовых ячеек TLC. Зато число слоёв в чипе превышает 90 штук. Конкуренты начнут выпускать память с подобным числом слоёв не раньше осени, а то и зимы. Заметим, ожидалось производство 96-слойной памяти 3D NAND, но Samsung говорит о числе свыше 90 слоёв без детализации точного количества. Можно предположить, что частью слоёв приходится жертвовать, поскольку 3D NAND со слоями 90+ состоит из двух установленных в стек 48-слойных кристаллов (возможен брак на стыке).
Также новинки получили последнюю версию интерфейса Toggle — Toggle DDR 4.0. Тем самым обмен с 90(+)-слойным чипами 3D NAND стал быстрее на 40 %. Поскольку при этом питание было снижено с 1,8 В до 1,2 В, то потребление осталось на уровне 64-слойной 3D NAND. Скорость обмена с использованием интерфейса Toggle DDR 4.0 поднялась до 1,4 Гбит/с с 800 Мбит/с для прежней версии стандарта. Скорость записи в ячейку также выросла — до 500 мкс или на 30 %. Скорость чтения из ячейки была улучшена до значения 50 мкс.
Технологичность производства V-NAND пятого поколения улучшена за счёт новых технологий депонирования и за счёт снижения толщины слоёв на 20 %. Это позволило увеличить объёмы производства на 30 % за то же время. Что же, как мы неоднократно убеждались, памяти много не бывает. Вскоре в пятом поколении V-NAND компания обещает представить 1-Тбит чипы и чипы с записью четырёх бит в ячейку.