Компания Samsung сообщила о готовности обеспечить потребность в новой быстрой памяти для устройств связи в сетях 5-го поколения (5G) и для платформ с элементами искусственного интеллекта. Это память LPDDR5 DRAM в виде 8-Гбит чипов, выпущенная с нормами класса 10 нм. Компания готова предоставить образцы новой памяти и наладить необходимые объёмы производства, если в них появится необходимость.
Скорость обмена данными в пересчёте на контакт для памяти LPDDR5 выросла в 1,5 раза по сравнению с памятью LPDDR4X или до 6400 Мбит/с с 4266 Мбит/с. При классической 32-битной организации чипа памяти и наличии в смартфоне двух микросхем LPDDR5, что даёт так же классический 64-битный доступ, подсистема памяти сможет работать с производительностью до 51,2 ГБ/с. Иначе говоря, каждую секунду подсистема памяти смартфона сможет прокачивать по 14 фильмов с разрешением FullHD (из расчёта 3,7 ГБ каждый).
Микросхемы LPDDR5 будут предлагаться в двух модификациях: с питанием 1,1 В и пропускной способностью 6400 Мбит/с и с питанием 1,05 В с пропускной способностью 5500 Мбит/с. Рост скорости доступа с сохранением низкого уровня потребления произошёл также благодаря новой организации банков памяти чипа, которых теперь 16, а не 8. Кроме этого введён новый режим «глубокого сна», который примерно в два раза снижает потребление микросхемы LPDDR5 по сравнению с «режимом простоя» для LPDDR4X. Всё вместе позволяет говорить об общем 30% снижении потребления LPDDR5 по сравнению с памятью LPDDR4X.