Южнокорейская компания Samsung, видимо, решила завалить нас новостями о своих будущих смартфонах. На прошлой неделе миру представили первый складывающийся смартфон от Samsung, а сейчас стало известно о не менее перспективной разработке: 8-нанометровом чипсете Exynos 9820, который помимо высокой производительности имеет также улучшенную систему для работы с решениями на базе искусственного интеллекта.
Новый чипсет производится по 8-нанометровой технологии FinFET. И кроме специально отведенного под нужды ИИ процессора, Exynos 9820 несет на борту два высокопроизводительных ядра ARM Cortex-A75 и четыре энергоэффективных Cortex-A55. Также чипсет имеет модем стандарта LTE, скорость которого по данным предварительных тестов находится в районе 2 гигабит в секунду.
«Поскольку услуги, связанные с ИИ, расширяются, то и их использование в мобильных устройствах требуется все чаще. А значит процессоры нуждаются в более высоких вычислительных возможностях и эффективности. Возможности использования искусственного интеллекта на чипсете Exynos 9820 обеспечит отличную производительность смартфонов, а также улучшит использование мультимедийных приложений.» — заявил вице-президент по маркетингу Samsung Electronics Бен Хур.
Новую архитектуру сами Samsung называют «трехкластерной» и она должна обеспечить 15% прирост производительности при решении задач, требующих использования нескольких ядер процессора и улучшение работы на 20% при выполнении задач, для которых нужно лишь одно ядро. Кроме того, общая энергоэффективность чипсета улучшена на 40% в сравнении с предыдущим поколением.
Exynos 9820 может работать с 22-мегапиксельной передней камерой и 16-мегапиксельной двойной задней камерой и
поддерживает до 5 датчиков, включая инфракрасный, который позволяет лучше работать с автофокусом и HDR. Помимо этого чипсет быстрее предыдущей модели записывает и декодирует видео. Заявлена поддержка видео 8К с частотой 30 кадров в секунду и 4К со скоростью 150 кадров в секунду. Наладить массовое производство Exynos 9820 Samsung планирует до конца 2018 года.