Совсем недавно, 25 марта 2021 года Samsung объявила о создании планки оперативной памяти RDIMM объёмом 512 ГБ.
На планке расположены 40 модулей памяти DDR5 объёмом 16 ГБ каждая, при этом каждая пятая планка будет использоваться для проверки ECC — on-die-ECC (всего 32 рабочих модулей памяти)...
22 Августа стартовало мероприятие Hot Chips 33, которое посвящено полупроводниковой промышленности. В рамкам конференции было представлено большое количество новинок и информации. Samsung объявила, что производство первых модулей DDR5 на 512 Гб уже запущено. Новое устройство работает на частоте до 7200 МГц при напряжении в 1,1 В. Было заявлено, что новый формат памяти по сравнению с форматом DDR4 обеспечивает увеличение производительности более чем на 40%, а скорости в 2,2 раза. Также у DDR5 больше эффективность шины на 18%...