NEO Semiconductor представила 3D X-AI. Это память с собственным нейронным слоем
NEO Semiconductor представила прорывную память 3D X-AI с интегрированным нейронным слоем Компания NEO Semiconductor, известная своими разработками в области 3D NAND и 3D DRAM технологий, анонсировала новый тип памяти 3D X-AI, предназначенный для замены традиционных HBM (High Bandwidth Memory) решений — она включает в себя собственный нейронный слой, позволяющий обрабатывать данные на скорости до 120 ТБ/с. Новая память отличается способностью не только хранить данные, но и обрабатывать их, что делает...