542 подписчика
Сегодня разбираем устройство биполярного p-n-p транзистора. Его структура представляет собой «сэндвич» из трёх слоёв: две внешние области с положительной проводимостью (p-типа) — это эмиттер и коллектор, а между ними — узкая область с отрицательной проводимостью (n-типа), называемая базой.
Главное отличие от n-p-n транзистора в том, что здесь основными носителями тока являются не электроны, а «дырки» (условные положительные заряды). Это определяет полярность питающих напряжений: для работы на эмиттер подают отрицательное напряжение относительно базы и коллектора.
Принцип работы заключается в управлении сильным током между эмиттером и коллектором с помощью слабого тока базы. Небольшое изменение тока в цепи базы вызывает значительное изменение тока в цепи коллектора, что позволяет использовать транзистор для усиления сигналов. На схемах p-n-p транзистор легко узнать по стрелке на эмиттере, которая направлена внутрь символа.
P-n-p транзисторы в основном применяются в паре с n-p-n транзисторами в выходных каскадах усилителей мощности, где они эффективно усиливают отрицательную полуволну сигнала. Также их используют в силовой электронике в качестве верхнего плеча ключа для управления нагрузкой
#инженерный_подкаст #все_ответы_в_науке_МИФИ
Материал подготовлен при поддержке гранта Минобрнауки России в рамках Десятилетия науки и технологий
1 минута
30 сентября