48 тыс подписчиков
В Южной Корее вырастили транзисторы размером менее одного нанометра
Новый метод эпитаксиального выращивания одномерных металлических материалов диаметром менее 1 нм предложили специалисты из Южной Кореи. И применили этот процесс к разработке структуры для двухмерных полевых транзисторов, создав электрод затвора шириной 0,4 нм для работы с транзисторным каналом шириной 3,9 нм. Причем использовали в качестве электрода одномерные металлы. Разработка может стать ключевой технологией в производстве маломощных, высокопроизводительных электронных устройств будущего. Новая технология альтернативна литографии и значительно ее превосходит.
Около минуты
4 июля 2024