9781 подписчик
Когда кто-то разрабатывает что-то по стопам конкурентов, у него есть задача и возможность превзойти уже существующие варианты. Кажется свой шанс решили не упускать американцы из #Micron, создав собственную память типа UFS 4.0! Причём конкуренция корейцам может оказаться серьёзной.
Напомню, что почти во всех флагманах последнего поколения используются чипы памяти UFS 4.0 #Samsung. Они выполнены по 172-х слойной технологии V-NAND 7-го поколения и дают скорости последовательных чтения/записи до 4200/2800 Мб/с. Новинка от американцев выполнена по технологии NAND с 232-слойными ячейками TLC и, по заявлениям Micron, может обеспечить скорости до 4300/4000 Мб/с. Объём их чипов составляет 256/512/1024 Гб.
Однако, корейцы в прошлом году делали акцент на сохранении толщины чипа, в сравнении с предыдущим поколением V-NAND, а Micron об этом не сказали. Как при этом обеспечивается отвод тепла, сложно сказать. Хотя, они и обещают на 25% лучшую энергоэффективность. Но проверить всё мы, вероятно, сможем уже в следующем поколении флагманов! Ведь производство новой памяти начнётся уже во второй половине года, а готовые устройства появятся в конце 23-го или начале 24-го годов. Может к тому времени и Samsung чем-то ответит!
@ЧЕСТНЫЙ БЛОГ - Николай
1 минута
2 июля 2023
109 читали