126 подписчиков
В России разработали улучшенные элементы памяти для гибкой электроники
Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН облучили ионами ксенона фторированный графен, удалив фтор и создав проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. В ходе чего был создан мемристор — элементы памяти применяющийся для создания гибких датчиков в носимой электронике и прочих отраслях. Он способен «запоминать» количество протекшего через них заряда и менять свое сопротивление в зависимости от этого, передавать информацию в режиме “0” или “1”, присваивая ей уровень значимости.
На следующем этапе ученым нужно проверить как будут мемристоры чувствовать себя в системе из нескольких элементов.
Во всем мире такую память пытаются сделать на основе оксида графена и полимерных материалов, дихалькогенидов металлов.
#ягоржусь #ягоржусьрф
Около минуты
22 июня 2022