Samsung объявила о начале массового производства и коммерческих поставок памяти HBM4. Именно Samsung стала первой компанией, которая сумела довести эту технологию до стадии реального продукта. Главная особенность новинки — использование передового техпроцесса 4 нм для логического слоя и шестого поколения 10-нм класса (1c) для чипов DRAM, что позволило достичь рекордных характеристик без необходимости радикального пересмотра архитектуры.
Скорость составляет 11,7 Гбит/с, максимальная — до 13 Гбит/с. Пропускная способность выросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели памяти HBM3E. Такие цифры критически важны для устранения узких мест при обучении больших языковых моделей ИИ. Несмотря на удвоение количества контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048), инженерам удалось улучшить энергоэффективность на 40%.
На текущий момент Samsung предлагает решения объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные), а в ближайших планах — выпуск 16-слойных модулей объемом 48 ГБ.
Samsung прогнозирует взрывной рост спроса на память: компания ожидает, что продажи HBM в 2026 году вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Параллельно с расширением выпуска HBM4, компания планирует начать тестирование образцов улучшенной версии HBM4E уже во второй половине 2026 года, а с 2027 года — приступить к выпуску чипов памяти под конкретные требования заказчиков.