Радиационно стойкие MOSFET транзисторы большой мощности для применения в бортовой аппаратуре космических аппаратов, совместимые по параметрам с изделиями семейства R6® компании International Rectifier (HiRel)
Компания Xi’an Microelectronics Technology Institute (XMTI, Китай) разрабатывает радиационно стойкие P и N канальные MOSFET транзисторы, предназначенные для коммутации в бортовых энергетических системах космических аппаратов по ключевым техническим параметрам транзисторы XMTI сопоставимы с изделиями поколения R6® компании International Rectifier (HiRel).
Кроме того, они соответствуют уровню качества Space (класс JANS, Joint Army Navy Space) согласно спецификации MIL‑PRF‑19500.
Производство компонентов ведётся в соответствии с национальным стандартом GJB 33 «Основная спецификация производства полупроводниковых дискретных компонентов для применения в космической аппаратуре». По своим требованиям этот стандарт практически идентичен американскому аналогу.
Основные электрические характеристики
N‑канальные транзисторы:
- максимально допустимое напряжение сток‑исток: 20–600 В;
- максимальный ток стока: 69 А;
- минимальное сопротивление сток‑исток в открытом состоянии (RDS(ON)): 5 мОм.
P‑канальные транзисторы:
- максимально допустимое напряжение сток‑исток: 20–200 В;
- максимальный ток стока: 38 А;
- минимальное сопротивление сток‑исток в открытом состоянии (RDS(ON)): 50 мОм.
Радиационная стойкость
Транзисторы обладают следующими показателями устойчивости к радиационным воздействиям:
- стойкость к эффекту полной накопленной дозы: ≥100 крад (Si);
- стойкость к одиночным эффектам при ЛПЭ (линейные потери энергии) воздействующих ионов: ≥75 МэВ⋅см2/мг.
При указанных уровнях воздействия не наблюдаются критические для полевых транзисторов отказы — SEB (Single Event Burnout — вторичный пробой области истока) и SEGR (Single Event Gate Rupture — локальное разрушение области в подзатворном диэлектрике.)
Ключевые эксплуатационные параметры:
- быстрый процесс переключения;
- упрощённые требования к схеме управления;
- возможность несложного параллельного соединения;
- рабочий температурный диапазон: от −55 до +125 ∘C (окружающая среда);
- доступные уровни качества: YCT, YB, YC, QY.
MOSFET‑транзисторы XMTI представляют собой передовую разработку в китайской электронной промышленности, сочетая высокую радиационную стойкость, надёжность в экстремальных условиях и соответствие международным стандартам качества. Данные компоненты активно используются в ключевых национальных космических программах.
Характеристики P-канальных радиационно-стойких полевых транзиcторов
Характеристики N-канальных радиационно-стойких полевых транзиcторов
Таблица 3. Модели находятся в процессе разработки – N-канальные транзисторы
Для получения дополнительной информации по продукции XMTI обращайтесь по электронной почте info@prochip.ru.
Больше интересного – на медиапортале https://www.cta.ru/