Нас ждут 0.2-нм чипы и 2000-слойная память
Корейский институт полупроводниковых технологий (SIE) опубликовал «дорожную карту» на ближайшие 15 лет. По их прогнозам, переход через 1 нм на рубеже 2030-ых вызовет ощутимые трудности и потребует совершенно иного подхода к литографии. К 2040 году лучшие чипмейкеры достигнут 0.2-нм техпроцесса, в котором будут использоваться CFET-полупроводники (комплементарные полевые транзисторы) с монолитным 3D-дизайном.
Также к тому времени на рынке прочно закрепится 4-битовая QLC NAND-память, которая станет очень емкой благодаря переходу от текущих 300 до 2000 слоев. Сильно бустанутся ИИ-ускорители: если сейчас они способны выдавать десятки TOPS (триллионов операций в секунду), то через полтора десятилетия мы можем получить чипы, способные генерировать 1000 TOPS в секунду для обучения и 100 TOPS для инференса.
