Samsung сделала первый важный шаг в сезоне устройств 2026 года, тихо представив мобильный чип памяти DRAM LPDDR6. Новая память предлагает значимые улучшения, особенно в области периферийных вычислений (Edge AI) и увеличения времени автономной работы мобильных устройств.
LPDDR6, произведённая по передовому 12-нм техпроцессу Samsung Foundry, теоретически достигает скорости до 10,7 ГБит/с. Хотя эта скорость соответствует пиковой производительности самых быстрых на сегодняшний день модулей LPDDR5X, ключевое преимущество LPDDR6 заключается в эффективности и безопасности.
Энергопотребление снижено примерно на 21% по сравнению с LPDDR5X благодаря интеграции новой системы динамического управления питанием. Это позволит смартфонам экономить заряд батареи, особенно при интенсивных нагрузках, например при работе с ИИ-приложениями.
Пропускная способность также увеличилась за счёт повышения количества операций ввода-вывода, что значительно улучшило многозадачность и скорость обработки данных.
Отдельно стоит отметить ориентацию LPDDR6 на задачи искусственного интеллекта. Память поддерживает следующие возможности:
- Ускоренная загрузка моделей ИИ – более быстрый доступ к данным позволяет моделям запускаться быстрее;
- Повышенная безопасность – встроенные средства защиты обеспечивают сохранность данных во время выполнения ИИ-операций на устройстве.
Ожидается, что память LPDDR6 будет использоваться во флагманских моделях 2026 года, таких как Oppo Find X9 Ultra, Xiaomi 17 Ultra, Vivo X300 Ultra и Samsung Galaxy S26 Ultra.