Согласно данным из отчёта Taiwan Economic Daily, Huawei активно развивает собственные разработки в области микроэлектроники и планирует к 2026 году завершить этап проектирования (tape-out) своих первых чипов по техпроцессу 3 нм с применением GAA-транзисторов (Gate-All-Around). Это может стать важным шагом не только для самой компании, но и для всей китайской полупроводниковой промышленности.
В отличие от традиционных FinFET-транзисторов, GAA-архитектура обещает лучший контроль за утечкой тока и более высокую плотность компонентов. Huawei, как ожидается, будет сотрудничать с SMIC — единственной китайской фабрикой, способной работать с передовыми техпроцессами под действующими экспортными ограничениями. Планируется, что новые 3-нм GAA-чипы будут использоваться в самых разных сегментах — от мобильных устройств до серверных решений и ИИ.
Также сообщается, что компания рассматривает альтернативные материалы для транзисторов. В частности, речь идёт о так называемых "двумерных" материалах и даже о карбоновых нанотрубках. Такой подход может дать преимущество в эффективности и тепловом контроле по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Это особенно важно в условиях стремительного роста вычислительных задач и всё большего внимания к энергопотреблению.
Хотя такие проекты находятся на ранних стадиях, и не все задуманные технологии могут дойти до массового производства, текущий успех Huawei с 5-нм Kirin X90 даёт основание полагать, что компания способна довести дело до конца. Если ей удастся освоить 3-нм GAA-производство, это положит начало новому этапу развития китайских полупроводников — этапу, где Китай сможет самостоятельно создавать процессоры, сравнимые по уровню с западными или даже превосходящими их.
Пока сложно предсказать, как именно будет развиваться этот процесс. Но одно ясно уже сейчас: если Huawei справится с задачей, то она не просто ускорит развитие местной электроники — она изменит лицо мирового рынка, где доминируют лишь несколько игроков. А значит, баланс сил в индустрии начнёт медленно, но уверенно смещаться.