Учёные Массачусетского технологического института разработали новый тип транзистора, который предлагает значительно улучшенные возможности по сравнению с обычными схемами, используемыми в современной электронике. Исследователи хвастаются, что их открытие может произвести революцию во всей технологической отрасли.
Читайте: Рейтинг лучших ноутбуков 2024 года – ТОП-10 цена-качество
Почему это так важно
Транзистор — это ключевой компонент электроники, используемый практически во всех электронных устройствах, от сотовых телефонов до телевизоров и автомобилей.
Транзистор действует как переключатель или усилитель электрического сигнала, управляя потоком тока между двумя электродами (коллектором и эмиттером) посредством напряжения, приложенного к третьему электроду (базе).
Используются в интегральных схемах, составляющих основу компьютерных процессоров и памяти, а также в системах усиления сигнала аудиоустройств.
Новая идея транзистора
В 2021 году группа физиков из Массачусетского технологического института (MIT) создала новый сверхтонкий сегнетоэлектрик на основе нитрида бора.
Тогда предполагалось, что этот новый материал, механизм действия которого совершенно иной, чем у существующих сегнетоэлектриков, может иметь множество применений. Одной из главных идей была компьютерная память.
Но, исследование пошло ещё дальше. Теперь та же группа учёных создала транзистор из нового сегнетоэлектрика. Хотя результаты команды основаны на единственном транзисторе, разработанном в лаборатории, первые наблюдения чрезвычайно многообещающи. О работе сообщалось в журнале Science.
«Во многих отношениях его свойства соответствуют или превосходят отраслевые стандарты для сегнетоэлектрических транзисторов, производимых сегодня», — сказал Пабло Харилло-Эрреро, профессор физики, который руководил работой вместе с профессором физики Рэймондом Ашури.
Грядёт революция в электронике
Новый транзистор может переключаться за наносекунды, а его долговечность оценивается в 100 миллиардов переключений без признаков деградации.
Теоретически это означает разработку гораздо более эффективных и долговечных систем. Более того, толщина такого материала составляет нанометры, что делает его одним из самых тонких транзисторов в мире.
Поэтому мы можем рассчитывать на развитие чипов памяти с ещё более высокой плотностью хранения данных. Новые системы также будут более энергоэффективными, поскольку напряжение, необходимое для переключения транзистора, зависит от толщины материала.
«Когда я думаю обо всей своей карьере в физике, я думаю, что эта работа может изменить мир через 10–20 лет», — сказал профессор Рэймонд Ашури, возглавлявший работу над новым транзистором.
Хотите первыми узнавать о Hi-Tech – ПОДПИСЫВАЙТЕСЬ на Telegram
А также читайте самые свежие обзоры на нашем сайте – TehnObzor.RU