В ролике был показан транзистор 85T03GP Тип транзистора: MOSFET Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 3 V. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A. Время нарастания (tr): 77 ns. Выходная емкость (Cd): 550 pf. Интересен этот транзистор тем, что имеет большую емкость затвора (это не хорошо для ВЧ схем), что позволяет делать его аналогом РПС или ячейкой памяти. Кроме того, данный транзистор позволяет коммутировать огромные токи до 75 Ампер и, при этом, открывается напряжением всего 3 Вольта. Многие силовые транзисторы сегодня имею напряжение полного открытия для затвора в 10 и 12 вольт, что не позволяет ими управлять током мощных призматических аккумуляторов. Чаще всего данный транзистор используется в импульсных преобразователях старого образца с программированием выходного напряжения. Идеально