MDQ18N50G - это транзистор MOSFET с каналом N, изготовленный компанией ON Semiconductor. Это устройство с высоким напряжением, высокой скоростью и низким сопротивлением проводимости, специально разработанное для применения переключателей.ОписаниеMDQ18N50G представляет собой транзистор MOSFET с n - канальным каналом с максимальным напряжением утечки - источника 500 В и максимальным током утечки 18А. Он имеет сопротивление низкой проводимости 0065 Ом и скорость быстрого переключения 175ns.Характеристики:Максимальное напряжение утечки 500 ВМаксимальный ток утечки 18АСопротивление низкой проводимости 0065 ОмСкорость быстрого переключения 175nsПрименение:MDQ18N50G предназначен для переключателей, таких как DC - DC преобразователи, управление двигателем и питание.(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/5863925.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент п