ОписаниеMG200Q1JS9 - мощный биполярный транзистор с изоляционной решеткой (IGBT) от компании Toshiba American Electronics Company. Он предназначен для применения в области управления двигателями, таких как сервомоторы переменного тока, индукционные двигатели переменного тока и бесщеточные двигатели постоянного тока.Характеристики:Модуль биполярного транзистора с мощной изоляционной решеткой (IGBT)Номинальное напряжение: 600 ВМаксимальный ток коллектора: 200AМаксимальное напряжение коллектора - эмиттера: 600 ВМаксимальная температура перехода: 150°CСопротивление низкой проводимостиВысокоскоростное переключениеНизкая индуктивностьНизкий шумПрименениеMG200Q1JS9 предназначен для использования в таких областях управления двигателями, как сервомоторы переменного тока, индукционные двигатели переменного тока и бесщеточные двигатели постоянного тока. Он также подходит для питания, сварочных машин и других промышленных применений.(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.ne